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DMG6602SVT
1000
f = 1MHz
10
C OSS Ave (pF)
C ISS Ave (pF)
8
6
V DS = 10V
I D = 3.0A
100
4
C RSS Ave (pF)
2
10
0
5
10
15
20
25
30
0
0
2 4 6 8
10
100
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Junction Capacitance
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 10 Gate Charge
10
R DS(on)
Limited
P W = 100μs
1
DC
P W = 10s
P W = 1s
P W = 100ms
0.1
T J(max) = 150°C
T A = 25°C
V GS = 10V
Single Pulse
P W = 10ms
P W = 1ms
DUT on 1 * MRP Board
0.01
0.1 1
10
100
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 11 SOA, Safe Operation Area
DMG6602SVT
Document number: DS35106 Rev. 6 - 2
5 of 10
www.diodes.com
May 2012
? Diodes Incorporated
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